DMP3160L-7 与 BSS315P H6327 区别
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规格信息
型号	DMP3160L-7	BSS315P H6327
唯样编号	A-DMP3160L-7	A-BSS315P H6327
制造商	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	小信号MOSFET
描述	P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
数据表	DMP3160L-7.pdf	BSS315P H6327.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
宽度	1.3mm	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	122mΩ	270mΩ@-1.1A,-4.5V
上升时间	7.3ns	-
产品特性	-	车规
Qg-栅极电荷	8.2nC	-
栅极电压Vgs	1.3V	±20V
正向跨导 - 最小值	5.9S	-
封装/外壳	SOT-23	SOT-23
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55℃~150℃
连续漏极电流Id	2.7A	-1.5A
配置	Single	-
长度	2.9mm	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	-
下降时间	13.4ns	-
高度	1mm	-
漏源极电压Vds	30V	-30V
Pd-功率耗散(Max)	1.08W	0.5W
典型关闭延迟时间	22.5ns	-
FET类型	-	P-Channel
系列	DMP31	-
通道数量	1Channel	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	227pF @ 10V	-
典型接通延迟时间	4.8ns	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
DMP3160L-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V	暂无价格	0	当前型号
IRLML5203TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 98mΩ@3A,10V P-Channel 30V 3A SOT-23	暂无价格	3,000	对比
AO3403	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C	暂无价格	0	对比
BSS314PE H6327	Infineon		小信号MOSFET	30V 1.5A 107mΩ 20V 500mW(1/2W) P-Channel -55°C~150°C 车规	暂无价格	0	对比
AO3409	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C	暂无价格	0	对比
BSS315P H6327	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	车规 SOT-23 P-Channel 0.5W 270mΩ@-1.1A,-4.5V -55℃~150℃ ±20V -30V -1.5A	暂无价格	0	对比